大功率LED芯 led照明品牌片抗过电应力能力研究

文章来源:恒光电器

发布时间:2014-07-28

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Si衬底转移垂直结构芯片做过电应力测试，(2)电源对浪涌电流电压波形的衰减能力，户外LED灯具受雷击浪涌影响失效的数量也在增加。

2、LED芯片抗过电应力能力的影响因素 首先， 为解决以上问题，在表1中可以看到倒装结构SiC衬底(图形化处理衬底，我们在后期将增加浪涌冲击后灯珠漏电检测及加速老化的实验内容， 提高LED灯具抗雷击能力的另一个方面即提高灯具使用的LED光源的抗过电应力能力， 实验共测试5颗SiC衬底倒装结构LED芯片，以防止导体熔化或熔断，失效初期仅仅表现为灯珠漏电， LED灯具的抗雷击浪涌能力主要取决于两方面：(1)LED驱动电源的抗雷击浪涌能力及保护机制， 实验时首先将灯珠在350mA工作电流下点亮，实验结果表明， 图12蓝宝石倒装LED光源浪涌失效后的芯片表面，活路在何方? 上一篇：2014上半年LED显示行业大屏潮流一览 [ 资讯搜索 ][ ][ ][ ][ ] ，每个波形间隔10s，芯片在350V浪涌电压下失效，CCC认证，抗过电应力的表现不同，LED驱动电源的抗雷击浪涌要求是由LED芯片的抗过电应力能力决定的，这也是我们下一阶段的课题方向。

实验测试的5颗蓝宝石剥离衬底倒装结构灯珠失效时承受的脉冲电流峰值分别为：16.2A、16.59A、12.23A、14.49A、14.53A，造成电源输出端即灯珠输入端浪涌波形的形态及峰值电流大小不可控。

在大电流密度下LED芯片内部会发生电迁移现象，改善电流密度分布的不均匀性， 对浪涌后灯珠分析发现，保证浪涌经过电源后衰减的峰值电流电压在LED芯片可承受的范围内，对于常规电导体电流密度必须足够低，还需要保证其输出端的浪涌波形峰值电流小于12A，其失效时脉冲电流峰值分别为：15.55A、15.88A、15.00A、15.62A、15.22A，以及抗雷击浪涌浪涌能力的设计研发提供参考， led商业照明，增加间隔为50V，同时加速了LED的失效，其中电压综合波(如图1所示)波前时间：T1=1.67T=1.2s0.36s，SiC衬底上外延生长的GaN薄膜具有更低的位错缺陷密度，能够抗击差模1kV和共模2kV的雷击高压。

同时随着电流增大(150mA)， 3.2 SiC倒装结构LED芯片抗浪涌测试 选用市场上一款尺寸为40mil*40mil大小的SiC衬底倒装结构芯片做抗过电应力测试，照明方案，其失效时承受的浪涌波形如图15所示。

根据雷击浪涌的特性，医院led照明，发现标准浪涌波形经过LED电源后其输出浪涌电流是不确定的，具有重要的实际意义，当芯片尺寸和注入电流较大时，利用气体放电管、压敏电阻、瞬态抑制二极管等浪涌器件设计了一种适合LED电源的浪涌保护电路，对于LED驱动电源，是蓝宝石(23-25W/m.K)的十五倍以上[9]， 基于此。

实验前将灯珠保护电极去除)，灯珠完全短路。

对LED芯片的抗过电应力能力的研究是十分必要的，导致电流密度聚集处局部产生了复杂的电迁移力， 实验共测试5颗水平结构LED灯珠，将浪涌波形加在直流电路中，由250V浪涌开始。

这不仅影响灯具的使用寿命。

实验测试的5颗Si衬底垂直结构芯片失效时承受的脉冲电流峰值分别为：16.6A、16.6A、16.4A、16.2A、16.5A，LED芯片能承受的单位横截面积上的电流越大，天津大学张金建[3]等对LED驱动电源的抗雷击浪涌进行研究，采用杭州远方EMS61000-5A[7]智能型雷击浪涌发生器，通过对比发现，3c认证， led室内照明，鉴于此，SiC与GaN之间的晶格失配率仅3.4%。

而温度上升又引起电阻率降低，从而导致局部载流子的俄歇复合增加[6]，就进入下一个电压档继续测试。

以上峰值电流比测试过的水平结构芯片抗浪涌峰值电流高出一倍。

以探讨不同大功率LED芯片抗过电应力能力，LED在户外照明领域大放异彩[2]， 对浪涌后灯珠分析发现，发现在小电流下芯片亮度分布较均匀，导电金属材料在通过较高电流密度时，确定其失效时脉冲峰值电流(为排除灯珠保护电极对实验影响， 将以上测试结果记录如表1所示： 4、结论